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本发明公开了一种基于TSV和RDL的三维电容器，包括硅衬底，硅衬底的一个端面设置有RDL顶面金属层、与RDL顶面金属层相对的另一个端面设置有RDL底面金属层，RDL顶面金属层和RDL底面金属层形状、大小相同，RDL顶面金属层上方还设置有RDL金属层，RDL顶面金属层和RDL底面金属层之间沿纵向连接有若干个圆柱形TSV，各个圆柱形TSV分布在硅衬底内。本发明的一种基于TSV和RDL的三维电容器，在于TSV的阵列电容外加两层RDL构成的MIM电容构成的三维集成电容器，大幅提高了集成电容器的质量和电容密度，可广泛用于模拟集成电路、模/数混合集成电路和射频/微波电路。