专利名称：对痕量百草枯检测的CdTe量子点荧光探针的化学制备方法      申请号：2014106152493     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：化学化工 草 C CD 荧光探针 检测 化学制备 CdTe   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 一种对痕量百草枯检测的CdTe量子点荧光探针的化学制备方法，包括在发射光谱带为红色的CdTe量子点荧光探针的表面修饰上巯基乙酸，使其表面带有羧基官能团。本发明的制备过程包括如下两个步骤：首先是NaHTe溶液制备，然后合成表面修饰了巯基乙酸CdTe量子点，用KOH调节pH值在10~12之间，可得到CdTe量子点荧光探针，其表面带负电荷的羧基与带正电荷的目标分子百草枯通过正负电荷的静电作用，与百草枯在空间上相互接近时，通过荧光共振能量转移原理，发射光谱为红色的CdTe量子点荧光探针的发光谱带能够被绿色的目标分析物百草枯分子所吸收，利用CdTe量子点荧光强度的改变，实现对痕量百草枯的检测。

专利名称：一种掺杂CdTe纳米光伏材料的制备方法      申请号：2017104524673     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：太阳能 纳米材料 C CD CdTe   相似专利 发布日：2022/11/15  
摘要： 本发明公开了种掺杂CdTe纳米光伏材料的制备方法,以碲粉作为原料配制悬浊醇液,并与氯化镉的水溶液滴加混合,减压蒸馏后形成悬浊水溶液;然后对悬浊水溶液进行氨气曝气反应,在恒压回流反应条件下得到碲化镉沉淀,最后将碲化镉分散至氯化镉甲醇液中,喷洒在基材上进行退火反应后得到掺杂CdTe纳米光伏材料。本发明制备的掺杂CdTe纳米光伏材料采用溶液掺杂的方式稳定的将氯离子与镉离子掺杂至薄膜内,掺杂效果均匀,性能稳定。

专利名称：基于CdTe/CdS量子点的发光二极管及其制备方法      申请号：2018106594444     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电子元器件 发光二极管 C CD 电子设备和元器件 CdTe   相似专利 发布日：2023/08/23  
摘要： 本发明涉及一种基于CdTe/CdS量子点的发光二极管，从下至上依次包括Au电极、P‑Si衬底层、Si纳米线层、空穴传输层PVK、CdTe/CdS量子点/POSS纳米复合膜层、Au纳米棒层、ZnO电子传输层以及ITO电极。本发明采用POSS作为溶液添加剂，同时也作为CdTe/CdS QDs与ZnO之间的空穴阻挡层，维持量子点的荧光，提高成膜质量，进而提高器件性能。本发明采用P‑Si为衬底，以其作为空穴注入层，有利于实现大面积的光电集成。把不同长径比的金纳米棒嵌入P‑Si/PVK/CdTe/CdS QDs/POSS/ZnO结构的QLED中，利用金纳米棒表面的局域表面等离激元与发光二极管电致发光的相互耦合作用，能够明显提升器件的性能。