阳极氧化工艺 - 专利交易市场|柿子坊知识产权运营平台

实用新型已授权

本实用新型公开了一种基于阳极氧化工艺的高耐久铝件装置，包括铝件卡板、对接板和横杆，所述铝件卡板的一端焊接有横杆且横杆的顶部通过螺钉安装有立板，所述立板的顶端一侧焊接有水平板，所述水平板顶部开设有压紧螺栓孔且压紧螺栓孔内贯穿有压紧螺栓，所述横杆顶部一端设置有螺纹套块，所述铝件卡板的内侧粘接有弹性垫板。该新型铝件装置耐久性好，便于连接导线，适合广泛推广使用。

📄 2022220173056 📂 F16L3_12 👤 嘉兴市全顺铝制品有限公司 📅 2022-08-02

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一种阳极氧化生产线

实用新型已授权

本实用新型公开了一种阳极氧化生产线，包括收集槽，收集槽底部的内侧固定有支撑柱，支撑柱的顶部固定有水洗槽，收集槽的内侧和水洗槽的外侧之间设置有过滤网，过滤网顶部的外壁和内壁均固定有密封垫，固定板的顶部固定有挂钩，该阳极氧化生产线，过滤网正视剖面端部的底部设计为“V”型结构，且过滤网正视剖面端部的顶部为倾斜向下设计，保证了水中的杂质可以收集到过滤网的底部，保证了过滤网取出来时，过滤网内部的杂质不会掉落到收集槽的内部，收集槽的高度大于水洗槽的高度，保证了水洗槽内部溢出来的水，可以全部流到收集槽的内部，避免了水资源的浪费。

📄 2022225736048 📂 C25D11_02 👤 天津湘鲁聚泰科技有限公司 📅 2022-09-27

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一种HEMT与嵌入式电极LED的混合集成方法及器件

实用新型已授权

本实用新型公开了一种HEMT与嵌入式电极LED的混合集成器件，包括从上到下依次排列的HEMT外延衬底、GaN沟道层、AlGaN势垒层、源漏栅电极、第二钝化层、键合金属层、LED的N电极、第一钝化层、Bar金属层、Ag反射层、p‑GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子阱层、n‑GaN层、第三钝化层LED的P电极；所述LED的n电极以嵌入式电极的形式均匀设置于所述器件内的孔状结构中。本实用新型可以有效提高集成器件的光效，增加HEMT器件的饱和电流，实现集成器件在大电流下的高光输出功率。

📄 2022217629203 📂 H01L27_15 👤 河源市众拓光电科技有限公司 📅 2022-07-06

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转让方：××大学
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交易类型：转让
交易金额：¥1,200万

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SiC功率器件工艺专利

转让方：××半导体有限公司
受让方：××汽车电子集团
交易类型：转让
交易金额：¥680万

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钙钛矿光伏组件技术

转让方：××科技公司
受让方：××能源集团
交易类型：开放许可
交易金额：¥50万/年

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一种基于阳极氧化工艺的高耐久铝件装置

一种阳极氧化生产线

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