专利名称：一种实现高电压集成CMOS器件的器件结构和制备方法     申请号：2015103329585     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体结构   相似专利 发布日：2025/02/08  

专利名称：一种实现局部互连的结构及方法      申请号：2015101318656     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体结构   相似专利 发布日：2025/02/08  
摘要： 本发明涉及半导体器件结构及其制造技术领域，尤其涉及一种利用控制栅实现局部互连的结构及方法。通过在Flash结构中将控制栅设置在浅沟道隔离结构的上方，利用控制栅做器件之间的局部互连，通过这些局部的互连线可以减小器件所用的层次，从而减小器件的面积，且不会造成器件串扰。

专利名称：一种DMOS器件及其制备方法      申请号：201510141342X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体结构   相似专利 发布日：2025/02/08  
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种DMOS器件及其制备方法，利用深沟道隔离工艺来实现DMOS管，兼容先进的标准的CMOS工艺，从而提高漏端的击穿电压，减小器件的单元面积尺寸，有利于大规模、高密度DMOS单元电路的集成，降低芯片的面积。