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  • 专利名称：一种DMOS器件及其制备方法      申请号：201510141342X     转让价格：面议  收藏
    法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体结构   相似专利 发布日：2025/06/23  
    摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种DMOS器件及其制备方法，利用深沟道隔离工艺来实现DMOS管，兼容先进的标准的CMOS工艺，从而提高漏端的击穿电压，减小器件的单元面积尺寸，有利于大规模、高密度DMOS单元电路的集成，降低芯片的面积。
    • 第1页/共1页;本页1条记录/共1条记录 1      第页  
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