自清洁薄膜类专利转让_商标转让

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专利名称：一种采用PECVD技术制备无机透明超疏水薄膜的方法申请号：2021105009534 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：自清洁薄膜光伏薄膜幕墙薄膜玻璃薄膜相似专利发布日：2025/04/21
摘要：本发明公开了一种基于PECVD技术制备无机透明超疏水碳化硅薄膜的方法。针对超疏水薄膜须具有表面多级粗糙结构和低表面能特性，以甲烷和硅烷为工作气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术通过掩膜板多次交叉沉积方式在玻璃板表面构筑具有多级微纳粗糙结构的碳化硅薄膜。基于该粗糙结构，优化PECVD工艺参数使所制备碳化硅薄膜含有大量低表面能‑CHn基团，避开常用有机硅氧烷和有毒氟化物对材料进行低表面能修饰工艺，在不采用任何有机表面修饰剂的条件下便可获得兼具透明性和超疏水特性的碳化硅薄膜。制备的碳化硅透明超疏水薄膜成本低廉，在光伏玻璃板、显示屏幕、挡风玻璃以及建筑幕墙玻璃自清洁和防污等方面具有广阔的应用前景。

专利名称：氧化还原石墨烯/TiO2：Nd复合物自清洁薄膜及其制备方法申请号：2016106168791 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：石墨烯塑料清洁自清洁薄膜相似专利发布日：2023/08/21
摘要：本发明一种氧化还原石墨烯/TiO2：Nd复合物自清洁薄膜及其制备方法，所述制备方法，包括如下步骤，步骤1，制备前驱体溶液：以无水乙醇和水为溶剂，将钛酸四丁酯、硝酸钕和GO水溶液加入溶剂中，经充分搅拌至均匀透明得到前驱体溶液；其中，前驱体溶液中Ti离子浓度为0.01-0.10mol/l，Nd离子的掺杂量为TiO2的0-1.5at.％，氧化还原石墨烯rGO与TiO2的质量比为0-0.050，均不包括0；GO水溶液中的水计入前驱体溶液的总水配比中，每100ml前驱体溶液中加入1.0ml浓盐酸；步骤2，涂膜：将前驱体溶液浸涂或旋涂在需要镀膜的基片上，每次涂覆后在150-200℃下干燥0.5h，根据要求反复涂覆5-25次；步骤3，烧成：在400℃下烧制1.0h，在需要镀膜的基片上得到氧化还原石墨烯/TiO2：Nd复合物自清洁薄膜。

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