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本发明涉及一种基于波分复用的全光可重构硅基光子神经网络芯片，属于光计算领域。该芯片采用新型全光调控非线性机制，能够实现波分复用信号的非线性激活，还以及网络层数、每层神经元个数可变和非线性激活函数可调的多层、可重构光子神经网络。光子神经网络芯片中的单层网络由分光区、线性运算模块、非线性运算模块、光引出装置模块、合光区组成。分光/合光区用于实现信号光和探测光的多路分/合光；线性运算模块用于实现信号光的权重运算和调控单层神经元个数；非线性运算模块用于实现可调非线性激活函数的运算；所述光引出装置模块用于输出光子神经网络芯片结果，并实现网络层数的调控。

本发明涉及硅基光电异质集成技术领域，具体公开了一种硅基片上异质集成III‑V族有源器件及其制备方法，包括：硅片基底；硅波导，形成在硅片基底上；III‑V族有源器件，朝向硅片基底的表面形成凹槽结构，以容纳硅波导，凹槽结构的宽度不小于硅波导的宽度，深度不小于目标深度；薄膜覆盖层，形成在硅片基底上，其厚度全部覆盖硅波导且至少部分覆盖所述III‑V族有源器件；第一金属电极，一端与凹槽结构的端面接触，另一端延伸至薄膜覆盖层表面；第二金属电极，位于III‑V族有源器件背离硅片基底的表面。本发明提供的硅基片上异质集成III‑V族有源器件能够提高III‑V族有源器件与硅波导的耦合效率且工艺难度低。