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本发明涉及硅基光电异质集成技术领域，具体公开了一种硅基片上异质集成III‑V族有源器件及其制备方法，包括：硅片基底；硅波导，形成在硅片基底上；III‑V族有源器件，朝向硅片基底的表面形成凹槽结构，以容纳硅波导，凹槽结构的宽度不小于硅波导的宽度，深度不小于目标深度；薄膜覆盖层，形成在硅片基底上，其厚度全部覆盖硅波导且至少部分覆盖所述III‑V族有源器件；第一金属电极，一端与凹槽结构的端面接触，另一端延伸至薄膜覆盖层表面；第二金属电极，位于III‑V族有源器件背离硅片基底的表面。本发明提供的硅基片上异质集成III‑V族有源器件能够提高III‑V族有源器件与硅波导的耦合效率且工艺难度低。