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本发明属于长余辉发光材料的技术领域，公开了一种经掺杂的LiSc1‑xLuxGeO4光存储材料及其制备方法，其化学通式为LiSc1‑xLuxGeO4:yLn3+,zEu3+(Ln＝Tb,Pr,or Bi)；其制备方法是根据元素摩尔比Li:Sc:Lu:Ge:O:Ln:Eu＝1:1‑x:x:1:4:y:z,0≤x≤1,0.0001≤y≤0.02；0.0001≤z≤0.02；分别称取相应化合物原料，混合均匀后，在氧化性气氛下于1050～1350℃进行高温处理，得到光存储材料。本发明的光存储材料不仅可以存储254nm紫外光，还可以实现对X射线的存储，可应用于X射线、信息存储以及光学防伪等领域。本发明的方法简单，易实现量产。