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一种用于制备组分渐变的Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的装置,薄膜材料采用自限制性表面吸附反应得到。在由程序控制的每个生长周期中,设置两个计数器分别用于设定和控制每一个生长周期中有机铝源气体脉冲、有机镓源气体脉冲的数量,在逐次生长过程中,其中一个计数器的值逐渐增加,另一个计数器的值逐渐减小。通过采用本发明的装置制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法,可以实现组分渐变、跨越准同型相界的Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料,且Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜生长厚度的精确可控。
📄 2017105793179 📂 C23C16_455 👤 南通大学技术转移中心有限公司 📅 2015-11-11
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发明 已授权

用于制备组分渐变的铝镓酸铋薄膜的装置

2017105793179 · 南通大学技术转移中心有限公司
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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固态锂电池电解质专利包

转让方:中国科学院××研究所
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交易金额:¥320万
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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
受让方:××生物医药有限公司
交易类型:转让
交易金额:¥1,200万

SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
受让方:××汽车电子集团
交易类型:转让
交易金额:¥680万
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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
受让方:××能源集团
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交易金额:¥50万/年