二维材料类专利转让_商标转让

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专利名称：二维材料异质结结构及其制备方法和应用、光电器件申请号：2020112987679 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：电器器件电器件二维材料相似专利发布日：2023/10/17
摘要：本发明提供了一种二维材料异质结结构及其制备方法和应用、光电器件，涉及半导体技术领域，二维材料异质结结构包括：生长于衬底的单原子层或多原子层X‑Y烯异质结薄膜，每层所述X‑Y烯异质结薄膜中X和Y相拼接形成共价键异质结结构；其中，X和Y独立地选自VA族元素且不相同。本发明的二维材料异质结结构在二维材料内部形成稳定的共价键异质结结构，解决了传统二维材料无法形成真正单原子层的二维异质结，并且所形成的异质结是由范德瓦尔斯力所维系的，材料的稳定性不佳的问题。同时，层内异质结的构成也使得器件制备更加灵活，可以构建层内‑层间异质结复合结构，使得器件性质控制更加多样化。

专利名称：贵金属二维材料及其制备方法申请号：2019100196039 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：材料及其制备方法二维材料相似专利发布日：2023/03/30
摘要：本发明涉及一种贵金属二维材料的制备方法，包括以下步骤：将液态的金属作为基底，然后在所述基底的上表面覆盖贵金属前驱体的有机溶液，再在400-800℃下煅烧，即在所述基底上形成所述贵金属二维材料；其中，所述液态的金属的熔点为40℃以下且沸点为1000℃以上。本发明利用液态的金属作为载体，提供金属前驱体反应的场所，提出一种简单易行的方法合成面积较大的贵金属二维材料。

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