集成芯片类专利转让成果转化、技术转移、商标买卖-智来柿子坊知识产权运营平台

类型
法律状态
检索范围
名称/领域

专利名称：一种集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法申请号：2021116436364 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：集成芯片相似专利发布日：2025/09/23
摘要：本发明涉及集成芯片领域，公开了一种集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法，形成于基底上水平方向依次设置的第一吸收有源区、第一光传输波导区、第二光传输波导区和第二吸收有源区；第一吸收有源区中，第一P+掺杂区与第一N+掺杂区之间通过所述第一本征I区电性连接；第二吸收有源区中，第二P+掺杂区与第二N+掺杂区之间通过第二本征I区电性连接；其中，第一N+掺杂区与第二N+掺杂区电性连接；第一P++掺杂区上设置有第一金属电极，第二P++掺杂区上设置有第二金属电极。本光电探测器具有两个不同的光吸收区，能够探测出高功率和多波段的光信号，响应度较高，光‑电响应带宽较大。

专利名称：集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法申请号：2021116477561 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：集成芯片相似专利发布日：2025/09/23
摘要：本发明涉及集成芯片领域，公开了一种集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法，包括自下而上设置的基底、第二吸收有源区、光传输波导区和第一吸收有源区；第一吸收有源区中横向依次设置第一P++掺杂区、第一P+掺杂区、第一本征I区、第一N+掺杂区以及第一N++掺杂区，第一P++掺杂区与第一金属电极电性连接；第二吸收有源区中横向依次设置第二P++掺杂区、第二P+掺杂区、第二本征I区、第二N+掺杂区以及第二N++掺杂区，第二P++掺杂区与第二金属电极电性连接；第一与第二N++掺杂区通过金属通孔电性连接。本光电探测器具有两个不同的光吸收区，能够探测出高功率和多波段的光信号，响应度较高，光‑电响应带宽较大。

第1页/共1页;本页2条记录/共2条记录

第页

用户指南

交易方式

专项服务

关于柿子坊

关注微信公众号

联系我们

咨询电话：13280638997
传真：0533-3110363
邮箱：kefu@shizifang.com

专利转让_商标转让_知识产权转让评估买卖_智来柿子坊专利交易平台