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本发明属于离子探测技术领域，尤其涉及一种离子监控器，包括硅衬底(1)，以及依次形成在该硅衬底(1)上的第三复合层和第四复合层，每层复合层由绝缘层(2)-及其上方的多晶硅层(3)构成；所述离子监控器还包括，第一阳极(4-1)和第二阳极(4-2)，第一阴极(5-1)和第二阴极(5-2)，以及第一绝缘体(6-1)、第二绝缘体(7-1)、第三绝缘体(6-2)、第四绝缘体(7-2)；其中，第一阳极(4-1)、第一阴极(5-1)、第一绝缘体(6-1)以及第二绝缘体(7-1)分别垂直穿透第四复合层的多晶硅层，但不垂直穿透第四复合层的绝缘层。本发明的离子监控器，实现高分辨率的离子能量监控，且制备方法简单。