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专利名称:
一种半导体发光器件的电流阻挡层及其制备方法
申请号:
2012100891280
转让价格:面议
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法律状态:已下证 类型:发明 关键词:
半导体 光器件 半导体发光器件
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发布日:2024/02/26
摘要: 本发明涉及一种半导体发光器件的电流阻挡层,其特征在于,其一种半导体发光器件的电流阻挡层,包括在半导体外延层和在半导体外延层上具有图形化的介质扩散区域,在介质扩散区域内扩散有不与上述半导体外延层形成欧姆接触的介质离子,所述的介质离子为金属或半导体材料;所述介质扩散区域的厚度为1-5nm。本发明主要通过在电流阻挡结构的半导体材料目标区域表面沉积一层薄金属材料或半导体材料,通过高温扩散半导体工艺,实现该区域材料的掺杂、表面状态改变,然后再其上做接触层以及器件工艺。方法简单工艺上容易实现批量生产,制备的电流阻挡层没有额外插入层,不会与欧姆接触区域出现空隙,适合批量生产。
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