专利名称：一种薄膜材料制备用静电去除装置      申请号：2023208321039     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：塑料 膜材料制备   相似专利 发布日：2024/01/23  
摘要： 本实用新型涉及薄膜材料静电去除技术领域，具体为一种薄膜材料制备用静电去除装置，绷紧装置包括两个固定板，两个固定板对称分布在底板的侧面，两个固定板之间转动连接有螺纹杆，螺纹杆的表面固定安装有转盘，底板的侧面开设有滑槽，螺纹杆的表面螺纹连接有两个移动板，移动板借助螺纹杆和滑槽滑动连接，移动板的顶部表面固定安装有连接杆，连接杆远离移动板的一端和滑移板固定连接。本实用新型，解决现有的薄膜材料制备用静电去除设备在对薄膜材料进行静电去除时，无法对薄膜材料进行绷紧，导致薄膜材料表面容易出现褶皱，从而造成除静电的效果不好的问题。

专利名称：一种离子选择性聚合物复合膜及其制备方法      申请号：2016102503589     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：膜材料制备 隔膜   相似专利 发布日：2025/01/15  
摘要： 本发明属于膜材料制备技术领域，特别涉及一种隔膜的制备方法及用该方法制备的离子选择性复合膜。首先制备聚合物多孔状基体膜，再将无机物颗粒材料填充于基体的孔中，从而形成具有离子选择性的复合膜。利用该聚合物复合膜，可以在多种阳离子或阴离子共存的情况下，针对特定离子进行单独的选择性分离。

专利名称：一种含硅量子点碳硅基薄膜材料制备方法      申请号：2015109101267     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：塑料 硅 膜材料制备   相似专利 发布日：2024/04/16  
摘要： 本发明公开了一种含硅量子点碳硅基薄膜材料制备方法，步骤为：采用标准RCA清洗技术清洗单晶硅基片；采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅基片表面沉积非化学计量比碳化硅薄膜，硅量子点在非化学计量比碳化硅薄膜沉积过程中形成；采用等离子体增强化学气相沉积技术在非化学计量比碳化硅薄膜上沉积非晶碳薄膜；依次上述重复，制备周期性多层膜。经过上述步骤所制备的含硅量子点碳硅基薄膜材料具有制备工艺简单、能耗小、薄膜面积大、均匀性好、缺陷态少以及载流子遂穿势垒低等优点。本发明所提供的方法在硅量子点光电器件制备与应用方面有很好的应用前景。