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本发明公开了一种超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片的制备方法。其方法步骤：先将ITO表面进行巯基硅烷化处理，以增加其对Au纳米微粒的粘附性，然后利用恒电压沉积技术将具有树枝晶形貌的纳米金沉积在ITO电极上。之后通过在120℃的恒温干燥箱中反应3h，将树枝状金ITO表面的润湿态由亲水态转变为超疏水态。最后通过激光刻蚀技术，在超疏水表面刻蚀出8个具有超亲水边缘的微阵列圆孔，以得到超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片。本发明方法制备过程简单，成本低廉，制备的芯片具有富集微液滴的能力，且得到的树枝状金表面洁净、无污染，在生物分析、表面拉曼增强领域有广阔的应用前景。