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法律状态：全部已授权审中

项目申报：全部报过没有报过

发明已授权

本发明公开了一种等离子刻蚀提高BiVO4光阳极光电化学性能的方法，按照以下步骤：清洗基材后干燥——基材置于沉积室，然后在基材表面采用直流磁控溅射法沉积钒酸铋薄膜，沉积5～60min后得光催化薄膜——光催化薄膜在300‑500oC热处理2h，升温速度为1‑20oC/min——光催化薄膜送入刻蚀室，采用直流等离子法刻蚀光催化薄膜，刻蚀5‑30min后即得优化的钒酸铋薄膜。该方法不需要额外引入材料，工艺简单，功耗低且能够实现连续大尺寸制备，取材方便价格相比贵金属低，整个操作过程稳定性和可重复性好。

📄 2019106124852 📂 H01G9_20 👤 淮阴工学院 📅 2019-07-09

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一种提高BiVO4光阳极光电化学性能的方法

2019106124852 · 淮阴工学院

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