本发明涉及真空镀膜技术领域,具体涉及一种热蒸发镀膜方法及其装置。所述镀膜的实现方法是:从蒸发源扩散出来的膜料粒子,在其传输到基片表面的过程中,允许部分的膜料粒子通过通道传输到基片表面,实现薄膜沉积,其余的膜料粒子受到遮挡,无法沉积到基片上,通道位于基片和蒸发源之间,调节通道通-阻的比例和变换快慢,实现对膜料粒子的扩散控制。本发明同时提供可以实现该方法的装置。本发明的方法和装置结构简单,成本低廉,系统紧凑,能根据需要对沉积频率和占空比进行调节,实现对膜厚和结构的有效控制。
📄 2015104962715
📂 C23C14_26
👤 西安工业大学
📅 2015-08-14