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本发明公开了一种基于稠环酰亚胺结构的电子型聚合物及其制备方法和器件应用，通过选用光照环化的合成方法，将醛基噻唑和胺基取代的苝二酰亚胺结构单元反应，成功实现了对苝二酰亚胺结构单元的湾位修饰，结构单元之间的空间位阻可以得到明显改善；进一步通过stille偶联反应得到基于湾位修饰的苝二酰亚胺和噻唑结构单元的聚合物。本发明形成的A‑A(受体‑受体)型聚合物拥有良好的共轭特性和优异的电子传输特性以及空气稳定性，材料的合成简单、产率高。而基于本发明的聚合物作为电子传输层材料应用到钙钛矿太阳能电池中，能够取得超过20％的光电转化效率，具有取代目前无机和有机小分子电子传输材料的潜力，具备良好的产业化前景。

本发明提供了一种有机单晶微米带P‑N异质结阵列的生长方法。该方法包括：提供一基底，并对基底进行光刻以获得负性的光刻胶阵列；利用疏水型的单分子层溶液对光刻胶阵列进行修饰，以获得光刻胶模板；将光刻胶模板按照竖向放置的方式浸入N型材料的溶液中，直至光刻胶模板完全浸入N型材料的溶液后取出光刻胶模板，以在光刻胶模板上形成N型单晶微米带；将光刻胶模板按竖向放置的方式浸入P型材料的溶液中，直至光刻胶模板完全浸入P型材料的溶液后取出光刻胶模板，以在光刻胶模板上形成P型单晶微米带，从而形成有机单晶微米带P‑N异质结阵列。制备的微米带P‑N异质结阵列均为单晶材料，且可以准确定位生长具有上下叠层结构的P‑N异质结。

本发明公开了一种有机半导体晶体材料及其制备方法和用途，该晶体材料的晶系为三斜，空间群为P‑1，晶胞参数 α＝104.068(7)°，β＝104.957(7)，γ＝104.652(8)°；其结构单元包含1个四苯腈基四硫富瓦烯配体、1个DMF和1客体水分子；客体水分子的氧原子、DMF中的氧原子与苯环上的氢原子形成特有的氢键，相邻的四苯腈基四硫富瓦烯配体分子之间通过五元环形成特有的π…π作用，分子通过氢键和π…π作用以及分子间力形成三维网络结构。在室温下，该晶体材料具有良好的光电流响应性能。

本发明公开了一种含噻吩基的有机半导体晶体材料及其制备方法与用途，该晶体材料晶系为单斜，空间群为P21/c，晶胞参数α＝90°，β＝98.754(2)°，γ＝90°，分子式为C34H36O12S12，分子量为1021.34；其基本结构单元包含1个四噻吩羧酸四硫富瓦烯配体和4个二甲亚砜分子组成，配体分子中羧酸基团上的4个氢原子分别和4个二甲亚砜分子中的氧原子形成了氢键，相邻配体分子之间通过五元环形成π…π作用，分子通过氢键和π…π作用形成三维网络结构。在室温下，该晶体材料具有良好的光电流响应性能，其作为光电流响应的半导体材，具有广泛的应用前景。该技术具有操作简单、成本低、性能稳定、适合规模化生产等优点。