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本发明公开了一种基于LTCC技术的小型化超宽带高通滤波器加陷波一体化芯片;芯片包括基体、外电极、滤波电路模块和陷波器模块,内部由21层电路层堆叠构成,主要包括超宽带高通滤波器的电容极板金属层及电感绕线金属层、陷波器带状线金属层、底层接地板、顶层接地板等。本发明结合LTCC工艺的三维立体结构搭建,实现芯片体积小、集成度高,适应新的电子元件集成化、小型化的发展趋势;通过谐振器调节传输零点、阻抗匹配调整带内阻抗匹配及带外抑制,实现具有超宽频带且带外信号抑制强的高通滤波器;并满足对特定频率附近杂波干扰具有强抑制性,且具有低损耗、多传输零点、陷波曲线陡、高可靠性等优点。
📄 2024116393150 📂 H03H1_00 👤 杭州电子科技大学 📅 2024-11-18
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发明 已授权

基于LTCC技术的小型化超宽带高通滤波器加陷波一体化芯片

2024116393150 · 杭州电子科技大学
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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固态锂电池电解质专利包

转让方:中国科学院××研究所
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交易金额:¥320万
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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
受让方:××生物医药有限公司
交易类型:转让
交易金额:¥1,200万

SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
受让方:××汽车电子集团
交易类型:转让
交易金额:¥680万
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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
受让方:××能源集团
交易类型:开放许可
交易金额:¥50万/年