半导体外延结构 - 专利交易市场|柿子坊知识产权运营平台

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法律状态：全部已授权审中

项目申报：全部报过没有报过

实用新型已授权

本实用新型公开了一种用于GaN功率器件高阻层外延结构，包括衬底，以及从下到上依次形成于衬底上的：成核层、应力控制层和高阻GaN层，其中，高阻GaN层包含周期交替的Fe掺杂GaN层与自主C掺杂GaN层，这种周期交替类似超晶格的生长方式，极大的减弱了Fe源掺杂所带来的记忆效应，避免了Fe源记忆效应对GaN沟道的影响，同时又能弥补自主C掺杂的不均匀性，全面保证高阻层的耐压特性。本实用新型的外延材料在保持高阻特性的情况下，弥补了现阶段主流高阻层生长方法的不足，实现了材料耐压稳定性提升。

📄 2022213258261 📂 H01L29_06 👤 河源市众拓光电科技有限公司 📅 2022-05-30

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实用新型已授权

一种用于GaN功率器件高阻层外延结构

2022213258261 · 河源市众拓光电科技有限公司

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