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一种软开关电流馈推挽式直流‑直流变换器，包括直流电源Uin、反激变压器TX1和主变压器TX2、与反激变压器TX1副边绕组相连的第四二极管D4、输出电容Co和负载电阻R0，还包括与两个变压器原边绕组相连的原边电路、与主变压器副边绕组相连的整流电路。所述变换器通过在与两个变压器原边绕组相连的原边电路上，增加一个串联的第一功率开关管，并辅助相应的开关时序，实现了开关管的软开关切换。本发明实现了开关管的软开关切换，降低了开关损耗，提高了工作效率。

本发明公开了基于叠加输出的高增益直流电压变换电路，属于直流电压变换电路技术领域，借助于在基本的升压斩波电路上根据需要叠加升压电路叠加单元，可以获得高的升压比控制；电路功率变换一次完成，电路获得比较高的变换效率，可广泛应用于新能源发电系统中的输出电压的调整与控制。在基本的升压斩波电路上，如根据需要叠加上数个升压电路叠加单元，开关管周期性地开通关断，变换电路获得比基本斩波电路高得多的升压比控制，输出电压可以获得大幅度提升，电路的功率变换无需多次流转，一次性地完成电路的功率变换，电路变换效率高。

本发明公开了一种同步工作型SiC MOSFET Boost直流‑直流变换器死区设置方法，包括以下步骤：S1、获取变换器输出电压及输入电感电流；S2、通过SiC MOSFET及其驱动的数据手册获取相关参数信息；S3、利用所提公式计算SiC MOSFET漏源电压为输出电压时的输出电荷；S4、利用所提公式计算死区时间一T1，并将续流SiC MOSFET关断后的死区设为N倍的死区时间一，1.5≤N≤2；S5、利用所提公式计算死区时间二T2；S6、将死区时间二T2与N倍的T1及变换器允许的最大死区时间Tmax比较，并根据比较结果将主动SiC MOSFET关断后的死区设为死区时间二、N倍的T1或最大死区时间。本发明不仅可以同时降低二极管与输出电容带来的损耗，而且无需死区设置硬件电路，实现简单，成本较低。