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本发明公开了一种同步工作型SiC MOSFET Boost直流‑直流变换器死区设置方法，包括以下步骤：S1、获取变换器输出电压及输入电感电流；S2、通过SiC MOSFET及其驱动的数据手册获取相关参数信息；S3、利用所提公式计算SiC MOSFET漏源电压为输出电压时的输出电荷；S4、利用所提公式计算死区时间一T1，并将续流SiC MOSFET关断后的死区设为N倍的死区时间一，1.5≤N≤2；S5、利用所提公式计算死区时间二T2；S6、将死区时间二T2与N倍的T1及变换器允许的最大死区时间Tmax比较，并根据比较结果将主动SiC MOSFET关断后的死区设为死区时间二、N倍的T1或最大死区时间。本发明不仅可以同时降低二极管与输出电容带来的损耗，而且无需死区设置硬件电路，实现简单，成本较低。