专利名称：一种锡掺杂氧化铟纳米阵列及其制备方法      申请号：202111009384X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：微电子 薄膜 半导体材料 导电材料 半导体微电子 太阳能光伏电池 透明晶体管 集成功能器件   相似专利 发布日：2025/04/14  
摘要： 本发明公开的一种锡掺杂氧化铟纳米阵列的制备方法，具体为：步骤1，配制锡掺杂氧化铟感光溶胶；步骤2，提拉制备凝胶薄膜；步骤3，烘烤；步骤4，将带有锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片置于激光干涉曝光系统中进行双光束曝光；步骤5，将曝光后的锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片继续烘烤，步骤6，将烘烤后的基片置于溶洗剂中溶洗，溶洗10～20min，将未曝光部分溶洗去除，得到锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片；步骤7，将锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片于500～520℃下退火处理。该方法能够解决当前这种薄膜纳米阵列化加工工艺复杂、成本高、刻蚀缓慢以及精度差的问题。还公开有上述方法制备得到的锡掺杂氧化铟纳米阵列。

专利名称：一种三明治结构的PVDF高储能密度复合薄膜材料及其制备方法      申请号：2019112356876     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：微电子 电容   相似专利 发布日：2025/02/05  
摘要： 本发明提供一种三明治结构的PVDF高储能密度复合薄膜材料及其制备方法，该复合薄膜材料包括上层、下层和中间层，上层和下层均为PVDF层，中间层为一维钛酸铋钠晶须/PVDF复合层。用两步熔盐法制备一维Na0.5Bi0.5TiO3晶须前驱体，再将其与PVDF粉末分散于DMF溶剂中，通过多次流延法制得中间层为一维NBT晶须/PVDF复合层，外层为纯PVDF层的三明治结构PVDF复合薄膜，再经过淬火干燥获得最终三明治结构NBT/PVDF高储能密度复合薄膜储能材料。本发明制备工艺简单，适合工业化生产，其储能特性优良，该高储能密度复合薄膜材料在室温下的储能密度可达30.5J·cm-3以上。

专利名称：一种用于晶圆生产离子注入的控制装置      申请号：2019103262263     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：微电子 芯片制造 集成电路 半导体电路 多晶硅 硅晶片   相似专利 发布日：2024/08/06  
摘要： 本发明公开了一种用于晶圆生产离子注入的控制装置，其结构包括活动道、衔接操作头、离子校对输出口、护环，活动道安装于衔接操作头内部，离子校对输出口包括校对口杆、直射道、完整卡扣、灵活压球、整体囊、隔层、定向顶杆，当离子注入口受到损坏时，其前者将会掉落，后者主杆将会往下滑动，由空格受力将其回力镖撑开，其滑润层辅助其边角往两侧滑动，当回力镖被撑开的同时，折弯限向杆将会被挤压，其卡勾与固定柱之间的定位，其顶壳将对整体囊进行推动，整体囊内部的外压弧将受到力，使其能够顶在新的主杆表面，对其进行固定，能够在离子校对直射的口受到损坏时，及时的补上备用，以防操作的过程中有所失误，这次操作结束后在对其进行检修。