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本发明公开了一种多孔硅化铜金属间化合物材料及其制备和应用。所述多孔硅化铜金属间化合物的孔道结构包括微孔和介孔，且微孔和介孔呈无序分布，其中微孔的含量占10～40％，介孔的含量占60～90％；所述多孔硅化铜金属间化合物的比表面积为50～1600m2/g；所述多孔硅化铜金属间化合物中，铜和硅元素的摩尔比为0.4～25:1。本发明提供了两种多孔硅化铜金属间化合物的制备方法，同时提供了所述多孔硅化铜金属间化合物作为催化剂在乙炔氢氯化合成氯乙烯反应中的应用。本发明制备出的多孔硅化铜金属间化合物催化剂，在较宽的空速范围下进行乙炔氢氯化反应，有较好的催化活性，乙炔转化率最高可达97％，氯乙烯选择性最高可达99％。

一种Al4Cu9单晶颗粒的制备方法，Al4Cu9单晶的化学成分的原子配比为：Al 28‑31％，Cu 69‑72％；其制备方法主要是将高纯Al粉与Cu粉混合均匀后放入硬质合金模具中，利用粉末压片机施加3MPa压力并保持约180s来获得预制块体；将制得的预制块体放入氮化硼坩埚中，将氮化硼坩埚、管状石墨炉、石墨片、氮化硼片按顺序组装后置于六面顶压机中，压力设置在3‑5GPa之间，峰值温度控制在1100℃‑1150℃，保温30min；温度降至800℃‑950℃时保温1‑2h。本发明具有工艺简单，操作方法确实可行，实验设备较为常见等优点，生成单晶质量较好。

本发明公开了键合态TiAl单晶及其扩散键合工艺方法。对焊缝处进行EBSD等试验表征，结果表明：焊接之前将TiAl单晶待焊面表面粗糙度降低至200nm以下，压力在10～50MPa之间，焊接温度在950～1250℃之间，保温时间为1～10h时TiAl单晶样品焊合率在90％以上，实现了有效扩散键合；在10～30MPa压力下，焊接温度在1050～1150℃之间，保温时间为3～10h时焊缝处无再结晶生成，完全通过原子之间直接键合，进一步优化实现了TiAl单晶的无再结晶原子级扩散键合，焊合率高达95％以上。本发明操作方法简单、节能环保、可批量进行压焊，从而得到大尺寸键合态TiAl单晶。