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  • 专利名称:一种2-氟苯基芴与吡咯并吡咯二酮共聚物光伏材料、制备方法和应用      申请号:202011165721X     转让价格:面议  收藏
    法律状态:已下证   类型:发明   关键词:光伏材料   相似专利 发布日:2025/04/25  
    摘要: 本发明属于聚合物光伏材料技术领域,具体是涉及到一种2‑氟苯基芴与吡咯并吡咯二酮共聚物光伏材料、制备方法和应用,结构式如下:#imgabs0#其中,R为烷基,n为10‑30;2‑氟苯基芴与吡咯并吡咯二酮共聚物光伏材料具有宽的可见‑近红外光区吸收,合适的HOMO以及LUMO能级和相对较窄的带隙。以此类聚合物为电子给体、有机小分子为电子受体制备了非富勒烯聚合物太阳能电池,其最高能量转换效率可达到5.65%,具有良好的光电转换效率。
  • 专利名称:一种二维共轭2-氯苯基芴类共聚物光伏材料、制备方法和应用      申请号:2020111674249     转让价格:面议  收藏
    法律状态:已下证   类型:发明   关键词:光伏材料   相似专利 发布日:2025/04/25  
    摘要: 本发明属于聚合物光伏材料技术领域,具体是涉及到一种二维共轭2‑氯苯基芴类共聚物光伏材料、制备方法和应用,结构式如下:其中,X和Y分别为H或F,n为10‑30,二维共轭2‑氯苯基芴类共聚物光伏材料具有与非富勒烯受体材料互补的光学吸收和匹配的HOMO以及LUMO能级,以此类聚合物为电子给体、有机小分子为电子受体制备了聚合物太阳能电池,其最高能量转换效率可达到7.0%,具有良好的光电转换效率。
  • 专利名称:一种吩噁嗪基芴与吡咯并吡咯二酮类共聚物光伏材料、制备方法和应用      申请号:2020111657099     转让价格:面议  收藏
    法律状态:已下证   类型:发明   关键词:光伏材料   相似专利 发布日:2025/04/25  
    摘要: 本发明属于聚合物光伏材料技术领域,具体是涉及到一种吩噁嗪基芴与吡咯并吡咯二酮类共聚物光伏材料、制备方法和应用,结构式如下:其中,R为烷基,n为10‑30;吩噁嗪基芴与吡咯并吡咯二酮类共聚物光伏材料具有宽的可见‑近红外光区吸收,合适的HOMO以及LUMO能级和相对较窄的带隙。以此类聚合物为电子给体、有机小分子为电子受体制备了非富勒烯聚合物太阳能电池,其最高能量转换效率可达到6.8%,具有良好的光电转换效率。
  • 专利名称:一种二维共轭吩噁嗪基芴类共聚物光伏材料、制备方法和应用      申请号:2020111657205     转让价格:面议  收藏
    法律状态:已下证   类型:发明   关键词:光伏材料   相似专利 发布日:2025/04/25  
    摘要: 本发明属于聚合物光伏材料技术领域,具体是涉及到一种二维共轭吩噁嗪基芴类共聚物光伏材料、制备方法和应用,结构式如下:其中,X和Y分别为H或F,n为10‑30,二维共轭吩噁嗪基芴类共聚物光伏材料具有宽的可见光区吸收,合适的HOMO以及LUMO能级和相对较窄的带隙;以此类聚合物为电子给体、有机小分子为电子受体制备了聚合物太阳能电池,其最高能量转换效率可达到7.49%,具有良好的光电转换效率。
  • 专利名称:一种萘并二呋喃类光伏材料及其制备方法和应用      申请号:2017101967129     转让价格:面议  收藏
    法律状态:已下证   类型:发明   关键词:光伏材料   相似专利 发布日:2025/04/25  
    摘要: 本发明公开了一种萘并二呋喃类光伏材料及其制备方法和应用,属于光伏材料技术领域。其结构由式(I)表示。本发明还提供了该萘并二呋喃类光伏材料的制备方法和应用。该类光伏材料制备时主要是通过stille偶联的方法,将萘并二呋喃单元通过碳‑碳单间与另一个芳香杂环或者其衍生物相连接而制得。该合成路线简单,成本低且合成方法具有普适性,可以较好的推广应用于其他的萘并二呋喃类材料的合成。制得的萘并二呋喃类光伏材料具有大π平面的共轭结构,可以获得更宽的紫外‑可见吸收光谱;并具有较低的HOMO能级,对氧的稳定性高,有利于制备性能更加稳定的太阳能电池器件;将萘并二呋喃类光伏材料应用于太阳能电池中时,具有良好的光电转换功能。
  • 专利名称:一种用于太阳能电池的薄膜、太阳能电池及其制备方法      申请号:2021109067524     转让价格:面议  收藏
    法律状态:已下证   类型:发明   关键词:光伏材料   相似专利 发布日:2024/07/12  
    摘要: 一种用于太阳能电池的薄膜,其成分的化学表达为AgInxSbS(2+3x/2)(Se),其中x=0.25~1.0;本发明中AgInxSbS(2+3x/2)(Se)薄膜纯度高,结晶度好、晶粒尺寸大,孔洞、缝隙等缺陷少,本发明方法降低了Se对薄膜结构损害,制备的薄膜致密性、均匀性优异,以该薄膜作为吸收层的ITO/CdS/AgInxSbS(2+3x/2)(Se)/Au太阳能电池具有优异的电性能,Jsc达到20.65mA cm‑2,FF达到42.8%,PEC达到最大值为1.98%,EQE达到70%;均有优异的稳定性。
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