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本发明涉及一种利用热载流子增强硅基光热电效应光电转换器，包括绝缘基底层，所述绝缘基底层的上方设置有第一电极、第二电极、硅基底层，所述硅基底层位于第一电极与第二电极之间，所述硅基底层与第一电极电接触，所述硅基底层与第二电极电接触，所述硅基底层的上方设置有多个陷光槽，所述陷光槽的侧壁上设置有多个等离激元共振结构；该利用热载流子增强硅基光热电效应光电转换器，通过利用等离激元纳米结构层在硅基底上产生光热电效应，从而提高光生载流子的利用效率，在硅基底中存在的由于光生热载流子的温度梯度驱动的光电响应，即光热电效应。光热电效应可以有效利用传统光电探测无法利用的热化载流子的能量，进一步提高了光电转换效率。

本发明公开了一种硅基集成曝光量测量器件，包括半导体衬底，半导体衬底上从下至上依次设置有绝缘层、导电金属层、金属氧化物结构、导电金属结构、光敏材料层、保护层；金属氧化物结构包括对称设置在导电金属层上的第一金属氧化物块和第二金属氧化物块；导电金属结构包括设置在第一金属氧化物块上的第一导电金属块和设置在第二金属氧化物块上的第二导电金属块；保护层上设置有第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极，所述第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极均贯穿保护层，其中第二金属电极与光敏材料相接触，第一金属电极和第三金属电极均与绝缘层相接触。本发明可集成且作为独立器件使用，具有应用范围广和使用方便的优点。