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摘 要:本发明涉及一种大尺寸晶圆的制备方法,通过提供一初始衬底晶圆和单晶锭材料;对单晶锭材料进行微机械修整,形成单晶锭柱体,再对单晶锭柱体进行第一次离子注入,起泡剥离后形成键合嵌片;对键合嵌片进行第二次离子注入,将多个第二次离子注入后的键合嵌片与初始衬底晶圆进行对称/非对称键合,即根据预先设计好的版图进行键合,以得到组合晶圆;对组合晶圆进行退火,起泡剥离键合嵌片的一部分;对组合晶圆表面及键合嵌片间隙淀积化合物薄膜,并进行化学机械抛光,停止于键合嵌片表面,得到大尺寸晶圆。本发明采用了离子注入智能剥离的方法,将多个键合嵌片同时键合和剥离,且剥离后的键合嵌片可循环利用,极大地降低了生产成本。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201410079235.4 | 专利名称: | 一种大尺寸晶圆及其制备方法 |
申请日: | 2014-03-05 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 关键词: | 半导体 相似专利 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(最新年检需盖公章)与组织机构代码副本复印件(需盖公章)一个专利各一份 | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |