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摘 要:本发明提供一种半导体硅片局部掺杂装置,包括掺杂装置本体,所述掺杂装置本体包括传送带、掺杂箱、高温分解机构和离子注入机构,所述传送带的表面开设有多个定位孔,每个所述掺杂箱的底部均设置有定位柱,且掺杂箱通过定位柱嵌入到定位孔上,所述掺杂箱的内部安装有独立的半导体硅片,且半导体硅片以垂直的形式插入到掺杂箱的中间位置上,该半导体硅片局部掺杂装置将每个半导体硅片放置到独立的掺杂箱内部,随着传送带移动到高温分解机构的内部后进行掺杂处理,通过垂直放置能够同时对半导体硅片的两面进行掺杂加工,通过封闭组件能够将掺杂箱的内部空间进行遮挡封闭,使内部形成近似密封的空间,提高了掺杂融合的效率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202310863210.2 | 专利名称: | 一种半导体硅片局部掺杂装置 |
申请日: | 2023-07-14 | 申请/专利权人 | 武汉誉辰电子科技有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖北省武汉市东湖开发区长城科技园A401室 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 关键词: | 半导体 相似专利 |
公开/公告日: | 2023-08-22 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN116631916A | 交易状态: | 已转让 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(最新年检需盖公章)与组织机构代码副本复印件(需盖公章)一个专利各一份 | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利协议(需盖公章)一式两份 | 专利协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(最新年检需盖公章)组织机构代码副本复印件(需盖公章)一个专利各一份 | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利协议(需盖公章)一式两份 | 专利协议(需签字)一式两份 | |
专利受理通知书复印件或专利授权通知书复印件 | 专利受理通知书复印件或专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权未下证) | 专利证原件(若授权未下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2024/01/12 | 授权 | |
2024/01/05 | 专利申请权的转移 | 登记生效日: 2023.12.21 申请人由武汉誉辰电子科技有限公司变更为深圳快捷芯半导体有限公司 地址由430000 湖北省武汉市东湖开发区长城科技园A401室变更为518131 广东省深圳市龙华区民治街道白石龙社区中航阳光新苑1栋15P商铺 |
2023/09/08 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 21/67 专利申请号: 202310863210.2 申请日: 2023.07.14 |
2023/08/22 | 公开 |