本实用新型属于放大电路领域，尤其涉及一种工作在4‑12GHz的超宽带高增益低噪声放大器，包括偏置电路、第一级放大电路、输入匹配电路、极间匹配电路和输出匹配电路。本实用新型通过对于偏置电路使用双电源供电结构来维持电路稳定，采用共源‑共栅结构来提升电路增益，采用串联‑并联负结构的负反馈电路来改善增益平坦度，实现良好的宽带匹配，通过对电感数值和第一级放大电路N型晶体管M1栅宽的调节来实现输入匹配，降低电路的噪声系数、扩展带宽，用增益补偿技术来进行级间匹配，改善增益坦度，用多级LC匹配网络来进行输出匹配，扩展频带宽度。
📄 2023227513157
📂 H03F1_26
👤 广州大学
📅 2023-10-12
本发明提供一种基于混合神经网络的射频低噪声放大器电路设计方法，该方法包括：S1根据性能指标要求选择合适的器件，并确定相应的工作状态和偏置条件；S2利用构建好的混合神经网络得到晶体管的散射参数和噪声参数，获取指定条件下器件的S2P文件；S3根据得到的S2P文件进行稳定性分析，并进一步完成低噪声放大器的设计。本发明有助于提高了分析和设计低噪声放大器的效率和适用性。
📄 2022102324851
📂 G06F30_373
👤 广州大学
📅 2022-03-09
本实用新型公开了一种双频低噪声放大器，涉及通信装置技术领域，包括外壳，所述外壳上接触有密封圈，所述密封圈上固定连接有密封圈，所述密封圈上固定连接有上盖，所述外壳上固定连接有两个对称的安装条，所述安装条上接触有安装座，所述安装座与外壳接触，所述上盖上设置有连接机构，所述安装条上设置有安装机构。通过设计密封圈的作用，可对外壳与上盖的连接处进行密封，防止灰尘进入内部造成影响，且通过凸块与固定块的插接，可对上盖与外壳进行组合安装固定，且凸块与固定块方便进行分离，使得方便对放大器内部进行检修维护。
📄 2022226124636
📂 H05K5_06
👤 南京信息工程大学
📅 2022-09-29
本发明公开了一种负反馈超宽带低噪声放大器电路及其设计方法，至少包括输入匹配网络、第一放大器、第二放大器、第三放大器、第一负反馈网络、第二负反馈网络、第三负反馈网络以及输出匹配网络，其中，所述输入匹配网络用于将50欧姆阻抗匹配到晶体管的最小噪声阻抗点，使功率放大器获得最小的噪声同时完成低噪声放大器的宽带匹配；其输入端连接信号源，输出端依次连接第一放大器、第二放大器、第三放大器；每级放大器分别连接第一负反馈网络、第二负反馈网络、第三负反馈网络。本发明所提出的结构在提高低噪声放大器噪声性能和增益平坦度的同时，实现了工作频带带宽横跨S波段、C波段、X波段。
📄 2022111498373
📂 H03F1_42
👤 杭州电子科技大学,杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
📅 2022-09-21
本发明公开了一种基于十字结式微带匹配的并联负反馈超宽带低噪声放大器，其中十字结式输入匹配网络的输入连接射频信号，输出连接分段式负反馈放大电路，分段式负反馈放大电路将接收到的射频信号进行放大并经过所述十字结式输出匹配网络的两个端口输出；所述栅极直流偏置电路和漏极直流偏置电路分别与晶体管的栅极和漏极相连接，用于提供工作电压以及阻断射频信号流入电源；所述并联负反馈电路通过在晶体管漏极和栅极之间并联电容、电感和微带线来实现宽带特性。本发明在提高低噪声放大器噪声性能和增益平坦度的同时，极大的提高了电路的工作带宽和电路设计复杂度，简化了结构，缩小了电路的体积。
📄 2022111729414
📂 H03F1_34
👤 杭州电子科技大学,杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
📅 2022-09-26
本发明属于通信技术领域，涉及低噪声放大器(LNA)，具体为一种跨导增强型毫米波低噪声放大器。本发明采用基于变压器的跨导增强性差分共源共栅极结构，具有更好的可拓展性，通过调谐Lg、Ls、Cg与晶体管M1、M2、M3、M4的参数，能够实现各个毫米波频段的应用；同时，在共源共栅级上管的栅极引入电容Cg，降低了跨导增强变压器的反馈作用，以极大改善低频稳定性；另外，在匹配方面由于变压器的电感特性，改善了阻抗的虚部特性，其结果更有利于阻抗匹配，降低了匹配电路的损耗。综上，本发明巧妙地降低了低频时的反馈效应，极大地提升了低频稳定性，并且阻抗值适中，对级间匹配影响小，能够较好得应用于V波段、W波段等高频段。
📄 2019112646690
📂 H03F3_04
👤 电子科技大学
📅 2019-12-11
本发明公开了一种基于噪声抵消结构的低噪声放大器，主要解决了现有技术中存在的低噪声放大器的噪声系数较高，不能较高的满足系统要求的问题。该基于噪声抵消结构的低噪声放大器，包括场效应管M1，连接于场效应管M1源极的变压器耦合正反馈电路U1，连接于场效应管M1漏极的变压器耦合正反馈电路U2，栅极连接于场效应管M1的源极和变压器耦合正反馈电路U1之间的场效应管M3，源极与场效应管M3的源极相连、栅极连接于场效应管M1的漏极和变压器耦合正反馈电路U2之间的场效应管M2，栅极连接于场效应管M3和场效应管M2的源极之间的场效应管M4。通过上述方案，本发明达到了有效降低噪声系数，且性价比较高的目的，具有很高的实用价值和推广价值。
📄 2013107474663
📂 H03F1_26
👤 电子科技大学
📅 2013-12-31
本发明提供一种超宽带低噪声放大器设计方法，属于射频与微波集成电路领域。该设计方法包括：输入超宽带CMOS LNA设计指标，建立通用电感源级负反馈双增益超宽带CMOS LNA结构，基于线性功率限制最佳噪声系数的矢量空间算法计算CMOS LNA电路输入品质因素Qs和驱动电压Vod；调用Cadence软件对电路进行仿真和参数微调，从而实现整个宽带CMOS LNA电路器件参数的预估，为后续仿真和参数微调提供初始输入。本发明使得超宽带CMOS LNA的设计，变得更加自动化和智能化，打破了传统RFIC设计的复杂过程，提供了较为便利的设计方法。
📄 2014102005264
📂 H03F1_26
👤 重庆邮电大学
📅 2014-05-13
柿子坊 · 知识产权运营
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