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发光二极管芯片
实用新型 已授权
本实用新型公开了一种发光二极管芯片,发光二极管芯片包括至少一个基础结构,所述基础结构包括基底、第一基础单元、第二基础单元、绝缘结构以及桥接电极,第一基础单元和第二基础单元置于所述基底同一侧表面,所述绝缘结构使第一基础单元与第二基础单元通过所述桥接电极形成串联结构。上述发光二极管芯片结构通过设置基础结构,基础结构包含至少两个基础单元,基础单元分别与基底形成相应的功能单元,不同基础单元通过桥接电极进行连接,可以拓宽发光二极管芯片的电压应用范围,进一步选用金属基衬底,利用绝缘结构避免电极与衬底直接导通,可以有效提高发光二极管芯片的散热效果。
📄 2023202956508 📂 H01L25_075 👤 深圳市玛珂斯科技有限公司 📅 2023-02-23
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实用新型 已授权

发光二极管芯片

2023202956508 · 深圳市玛珂斯科技有限公司
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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固态锂电池电解质专利包

转让方:中国科学院××研究所
受让方:××新能源科技有限公司
交易类型:独占许可
交易金额:¥320万
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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
受让方:××生物医药有限公司
交易类型:转让
交易金额:¥1,200万

SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
受让方:××汽车电子集团
交易类型:转让
交易金额:¥680万
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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
受让方:××能源集团
交易类型:开放许可
交易金额:¥50万/年