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本发明提供一种自带启动电路的带隙基准电路结构，涉及电子电路技术领域，能够采用正常接法的NPN三极管设计带隙基准源，结构简洁且低成本；该电路第一、第二MOS管G极连接，S极接电源；第二MOS管G极和D极连接；第一MOS管D极与第二三极管集电极连接，第二MOS管D极与第一三极管集电极连接，第一三极管和第二三极管基极连接；两三极管发射极之间串接第一电阻，第二三极管发射极串接第二电阻后接地；第三MOS管S极与第一三极管的基极连接，D极与电源端连接，G极与第一MOS管D极连接；两三极管的两基极连接点作为基准电压输出；第一、第二MOS管为PMOS管，第三MOS管为NMOS管。

神经形态电路中包含众多的神经形态器件，此时对器件权重更新(电导调控)越精准、简洁越好，即“学习”的难度降低。当前对权重更新的调控面临电导呈非线性/不对称性变化、必须采用双极性电脉冲(正、负电压)调控等科学问题，增加了神经形态器件权重更新的难度；本专利通过制备电荷捕获效应与电双层效应并存的双重神经形态器件，利用两种电荷效应对半导体层调控速率的不同实现单极性电脉冲对权重更新的调控，通过两种电荷效应形成相互抑制作用增强电导调控的线性度以及对称性，解决神经形态电路中权重更新困难的问题。