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本发明涉及电子器件技术领域，具体为一种用于太赫兹探测器的天线组件，包括基于GaNHEMT器件的处理芯片和天线，GaNHEMT的处理芯片和天线场耦合连接；其中，天线包括源极天线、漏极天线和栅极天线，所述源极天线和漏极天线设置在栅极两侧且对称，且栅极天线连接栅极向所述源极天线或漏极天线一侧延伸；所述源极天线和漏极天线长为38‑58微米，宽均为4‑19微米，中间栅极长200‑900纳米，中间栅极距源极天线和漏极天线的间距均为200‑650纳米；通过本发明天线组件实现在室温下提升探测器灵敏度一个数量级，室温下噪声等效功率达8pW/Hz0.5以下；将天线组件与超半球硅透镜或者喇叭直波导集成，提升太赫兹波的吸收率，灵敏度得到提升。

本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种提升太赫兹探测器响应度的器件，包括衬底，在衬底上为AlN成核层，在AlN成核层上为第一n+GaN欧姆接触层，作为器件的源极和漏极，在第一n+GaN欧姆接触层上是外延生长的InAlN电子发射层，在InAlN电子发射层上外延生长n‑GaN有源层和第二n+GaN欧姆接触层，构成器件的栅极，第一n+GaN欧姆接触层上穿出鳍式电子气沟道，鳍式电子气沟道从衬底生长且贯穿栅极与源极和漏极相连；本发明器件实现栅极对二维电子气的立体调控，从而增强栅极了对沟道的调制能力，降低栅极长度，提高了器件响应太赫兹波的速度。