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本发明公开了一种可编程忆阻器逻辑电路,包括第一阈值型忆阻器Ma、第二阈值型忆阻器Mb、第三阈值型忆阻器Mc、第四阈值型忆阻器Md、第一NMOS晶体管M1、第二NMOS晶体管M2、第三NMOS晶体管M3、第四NMOS晶体管M4、第五NMOS晶体管M5、第六NMOS晶体管M6、第一电阻R1和第二电阻R2、第一使能端S1、第二使能端S2和第三使能端S3。该电路通过调节使能端来实现在同一电路中完成“与”、“或”、“非”逻辑运算的功能,电路结构简单,功能调节灵活,对基于忆阻器的数字逻辑电路的研究具有重大意义。
📄 2021100296496 📂 H03K19_20 👤 天津津湖数据有限公司 📅 2021-01-11
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发明 已授权

一种可编程忆阻器逻辑电路

2021100296496 · 天津津湖数据有限公司
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