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本发明涉及一种半导体封装及其制备方法，该方法包括：在第一临时衬底上形成一刻蚀停止层、第一导电层、第一钝化层、第二导电层、第二钝化层以及第一导电凸块；在第二临时衬底上设置多个半导体芯片，在半导体芯片的非有源面的每条边上均形成多个间隔设置第一凹槽；将第三临时衬底粘附至半导体芯片的非有源面，并在其有源面的焊垫上形成第二导电凸块；将半导体芯片接合至所述第二导电层上，接着形成环形凹槽以围绕相应的半导体芯片，接着形成第一模塑层并嵌入到所述环形凹槽中，接着切割以形成第一封装构件；在线路基板的上表面的每条边上均形成多个间隔设置第二凹槽，将所述第一封装构件接合至所述线路基板；在所述线路基板上形成第二模塑层。