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一种发光二极管芯片
发明 已授权
本发明公开了一种发光二极管芯片,包括芯片本体,芯片本体包括基板、在基板层上设有磊晶层,磊晶层上设有N、P型导电区,在N、P型导电区之间设有有源区,在N型导电区和有源区侧面设有绝缘层,绝缘层右侧和N型导电区上表面均设有导电透明氧化物薄膜层,导电透明氧化物薄膜层上设有P型电极,导电透明氧化物薄膜层上设有N型电极,芯片本体的侧面设有隔绝P型电极与芯片本体、N型电极与芯片本体的绝缘层,芯片本体下端固定在绝缘隔热固定板,绝缘隔热固定板上设有引脚导出孔,芯片本体两侧设有数个引脚,设置在芯片本体左右两侧的引脚分别于N、P型电极相连。本发明结构简单、设计合理,成本低,使用寿命长,能够避免受到其他电子元件影响。
📄 2017105743080 📂 H01L33_48 👤 南通明芯微电子有限公司 📅 2017-07-14
已申报项目
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发明 已授权

一种发光二极管芯片

2017105743080 · 南通明芯微电子有限公司
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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固态锂电池电解质专利包

转让方:中国科学院××研究所
受让方:××新能源科技有限公司
交易类型:独占许可
交易金额:¥320万
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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
受让方:××生物医药有限公司
交易类型:转让
交易金额:¥1,200万

SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
受让方:××汽车电子集团
交易类型:转让
交易金额:¥680万
☀️

钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
受让方:××能源集团
交易类型:开放许可
交易金额:¥50万/年