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本实用新型公开了一种可大量制备自支撑材料的沉积装置，该装置包括电沉积盖，电沉积池，铂网电极，电镀电极，6个电极夹。其中电沉积盖开有移动卡槽，移动卡槽内分别设有锯齿带，铂网电极与电沉积盖通过铂网电极孔组装连接，电镀电极内嵌于电沉积盖中，电极夹与电沉积盖穿过移动卡槽通过夹具连接螺纹组装连接，电沉积盖和电沉积池通过螺纹连接。该装置结构简单，占地面积小，不仅可以同时制出多个电极片，减小因离子损失而不得不更换电沉积液的药品损失，而且可以自由移动并定值固定电极间的间距，减少因间距的差距而造成实验的重现性不好状况。该小型装置适用于实验室研究，让研究者能更方便的模拟工业条件制备电极材料。

本发明提供了一种氮、镍共掺杂硒化钴超薄纳米片及其制备方法和应用，属于电解水制氢催化剂技术领域。本发明提供的制备方法包括如下步骤：(1)将钴源、硒源、镍源、氮源、水和二乙烯三胺混合，进行溶剂热反应，得到氮、镍共掺杂硒化钴前驱体；(2)将所述氮、镍共掺杂硒化钴前驱体进行洗涤和干燥，得到氮、镍共掺杂硒化钴超薄纳米片。上述方法不需要使用贵金属，降低了成本，且制备工艺简单易于实施。实验结果表明，上述制备方法得到的氮、镍共掺杂硒化钴超薄纳米片在1M KOH溶液中电解水制氢的过程中，当电流密度为10mA·cm‑2时，过电压为220mV，明显低于硒化钴、氮掺杂硒化钴和镍掺杂硒化钴，具有优异的电催化性能。

本发明提供一种应用于钠离子电池中具有高质量比容量的三维多孔Co‑C3N4的制备方法，在氮气保护下把含C、N元素的药品煅烧500～550℃，生成g‑C3N4，然后把g‑C3N4、镁粉和钴源通过CVD煅烧650～700℃，在给g‑C3N4去氮造孔的同时加入Co元素，把金属原子原位掺杂进入碳氮材料孔道中，从而生成三维多孔Co‑C3N4材料，该材料能用于钠离子电池，使得钠离子电池的电化学性能明显提高。本发明的合成工艺简单，反应条件温和，重复性高，而且制得的三维多孔Co‑C3N4具有高质量比容量，这对碳基材料在钠离子电池领域中进一步发展具有重要意义。

本发明公开了一种Se掺杂玉米状Fe3O4/C负极材料的制备方法，首先通过水热法合成MIL‑88A，随后在氮气保护下在500～600℃的条件下将其碳化，生成Fe/C复合物，然后把Fe/C复合物、水合肼和硒粉在75～95℃的温度下搅拌10～30min，将Se掺杂进碳的同时将内部的Fe元素置换到表面，随后在氮气保护下于500～700℃的条件下将其晶化，从而生成Se掺杂的玉米状Fe3O4/C复合材料，用于锂离子电池中能够明显提高电化学性能，本发明合成工艺简单，反应条件温和，重复性高，而且制得的Se掺杂的玉米状Fe3O4具有高质量比容量，这对铁基氧化物材料在锂离子电池领域中的进一步的发展具有重要意义。