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本发明属于纳米复合材料技术领域,尤其涉及制备V3S4@C纳米片组装为中空管结构的合成方法。本发明通过水热反应技术制备前驱体MIL‑47(BDC)n+,然后通过高温气相硫化技术合成V3S4@C纳米中空管。其方法为:取钒源,十六烷基三甲基溴化铵,抗坏血酸,对苯二甲酸,加入水中搅拌后,水热处理,形成带有前驱体的混合溶液,然后将该混合溶液抽滤再烘干形成黄绿色粉末,加入硫代乙酰胺,在管式炉中进行气相硫化,生成中空管状的V3S4@C纳米复合材料。本发明的制备方法简单,成本低,污染少,该方法为制备中空管状V3S4@C纳米复合材料提供了一种新策略。
📄 2019103831546 📂 H01M4_36 👤 上海东渐光储科技有限公司 📅 2019-05-09
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发明 已授权

一种锂/钠/钾离子电池用中空V3S4@C纳米管负极材料的制备方法

2019103831546 · 上海东渐光储科技有限公司
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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固态锂电池电解质专利包

转让方:中国科学院××研究所
受让方:××新能源科技有限公司
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交易金额:¥320万
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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
受让方:××生物医药有限公司
交易类型:转让
交易金额:¥1,200万
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SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
受让方:××汽车电子集团
交易类型:转让
交易金额:¥680万
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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
受让方:××能源集团
交易类型:开放许可
交易金额:¥50万/年