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摘 要:本发明涉及一株高耐硒灵芝突变体菌株及其应用,属于真菌育种技术领域。其在富硒地区采集灵芝菌子实体,获得菌丝体培养物,收集其孢子后进行诱变育种,在高硒浓度培养基中进行富集培养,获得耐硒能力提高的灵芝菌丝体。所获得的耐硒能力提高的灵芝突变体命名为Ganoderma sp.ML2613,该突变体的菌丝体培养物已保藏在中国典型培养物保藏中心,保藏编号CCTCC NO:M20211217。与原菌株菌丝体培养物相比,突变体Ganoderma sp.ML2613可以在硒含量为1600mg/L的培养液中维持正常生长,而原菌株的菌丝体在同样的发酵培养液中生长极其缓慢。突变体Ganoderma sp.ML2613更适合在高硒含量环境中培养,具有获得富硒菌丝体的潜力,也有利于在高硒环境中进行灵芝的野外栽培。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202111524579.8 | 专利名称: | 一株高耐硒灵芝突变体菌株及其应用 |
申请日: | 2021-12-14 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C12N1/14搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2023-06-09 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN114214208B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |