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摘 要:本发明提供了一种席夫碱合钯阴离子插层水滑石,其制备方法为:首先将金属钯与席夫碱进行络合,制备出席夫碱合钯配合物,然后采用一锅法合成席夫碱合钯阴离子插层的水滑石类材料;本发明制备的席夫碱合钯阴离子插层水滑石,提高了贵金属钯的分散度及利用率,将其应用于固相催化氧化Heck反应,表现出较好的催化性能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610782619.1 | 专利名称: | 席夫碱合钯阴离子插层水滑石及其制备方法与应用 |
申请日: | 2016-08-31 | 申请/专利权人 | 浙江工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市下城区潮王路18号浙江工业大学科技处 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | B01J31/26搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/01/08 | 授权 | |
2017/03/15 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): B01J 31/26 专利申请号: 201610782619.1 申请日: 2016.08.31 |
2017/02/15 | 公开 |