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摘 要:本发明公开了一种二氧化钛/二氧化硅一维光子晶体及其制备方法。该一维光子晶体是由二氧化钛薄膜和二氧化硅薄膜构成的多层膜结构,该一维光子晶体光子禁带中心波长可在380‑800纳米之间任意调节,禁带中心波长的反射率最高可达99%。该一维光子晶体是通过旋涂在衬底上制备含钛前驱体薄膜后通过热处理获得二氧化钛薄膜;再于二氧化钛薄膜表面通过旋涂和热处理获得含硅前驱体薄膜而获得交替的二氧化钛/二氧化硅多层膜结构。本发明通过改变前驱体的化学结构、浓度及旋涂转速可以容易地获得不同厚度的薄膜,从而调控其光子禁带中心波长。本发明可廉价、高效地制备二氧化钛、二氧化硅薄膜以及二氧化钛/二氧化硅一维光子晶体。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810190099.4 | 专利名称: | 一种二氧化钛/二氧化硅一维光子晶体及其制备方法 |
申请日: | 2018-03-08 | 申请/专利权人 | 常熟理工学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市常熟市南三环路99号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G02B1/00搜分类 光子晶体 无机化合物 硅 港口 氧化硅搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |