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摘 要:本发明公开了一种紫外LED倒装芯片,包括从下往上依次设置的基板、布线层和芯片外延层;本发明通过刻蚀工艺将芯片外延层的一部分去除,形成用于设置n电极的n型半导体区域,并在芯片外延层内分别设有贯穿n型AlGaN层的第一内部接触层和贯穿n型AlGaN层至透明导电层的第二内部接触层,使芯片内部形成用于释放高压静电的电流释放通道,从而避免芯片遭受静电的危害;另外,反射层的设置可以最大限度反射向下射出的光线,有效提高芯片的出光率;透明导电层可以增大与p电极之间的接触面积,获得更好的散热效果;最后,本发明通过设置电流扩展层和电子阻挡层,加强芯片内部载流子向上流动的速度和流量,使芯片的出光率大大提高。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710359384.X | 专利名称: | 一种紫外LED倒装芯片 |
申请日: | 2017-05-19 | 申请/专利权人 | 广东工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省广州市越秀区东风东路729号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L33/10搜分类 集成电路 L LED芯片搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |