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摘 要:本发明公开了一种浅表三维自耐水抗菌瓷抛砖及其制造方法,该瓷抛砖物理结构整体由两个部分组成,一部分是氮化硅微粉、氧化锆微粉构筑的多孔大粒氮化硅陶瓷基体,另一部分是内部均匀混有二硫化钼、二氧化硅、竹炭粉末、碳酸钠粉末的钠米氧化铝基溶胶填料暨交联单体;两个部分在引发剂硫酸铵、交联剂N,N-亚甲基双丙烯酰胺的综合作用下一次性真空物理加压烧结而成;该瓷抛砖上表面印有装饰性花纹;瓷抛砖上下表面在距表面0.3mm-0.5mm的浅表层均具有立体方向的压应力微结构。本发明构型立体、表面兼具润滑耐磨、基体抗冲击、自抗菌、耐水、绿色环保无公害。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810810995.6 | 专利名称: | 一种浅表三维自耐水抗菌瓷抛砖及其制造方法 |
申请日: | 2018-07-23 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C04B35/584搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
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日期 | 法律信息 | 备注 |