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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN201810024577.4 | 专利名称: | 三元复合硅基光电极及其制备方法 |
申请日: | 2018-01-10 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C25B11/06分类检索 电子元器件 硅 三 硅基光电 电子设备和元器件专利转让搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 【平台担保交易】 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明公开了一种三元复合硅基光电极及其制备方法,所述方法包括以下步骤:S1、提供一硅片,刻蚀在硅片表面形成纳米结构;S2、采用滴液法将量子点二硫化钼分散液分散到硅片表面,在硅片表面形成量子点二硫化钼;S3、在硅片表面继续沉积活性薄膜层,活性薄膜层包括钴、镍、钴化合物、镍化合物中的一种或多种,得到三元复合硅基光电极。本发明采用两步法分别沉积量子点二硫化钼与活性薄膜层,能够将开路电压由0V以下提高到0.4V以上,量子点二硫化钼可以促进光生载流子分离而又不影响光吸收,活性薄膜层则能够降低硅片/溶液界面的阻抗,进一步提高光电化学转换性能。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |