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摘 要:本发明涉及一种制备二维面内异质结的方法:在平面的基底表面蒸镀一层过渡金属或其氧化物,形成0.2-2nm的蒸镀层;在部分蒸镀层表面修饰200nm-2μm的光刻胶,形成光刻胶的阵列,使蒸镀层表面周期性的排布有未覆盖光刻胶的区域;在未覆盖光刻胶的区域沉积20-200nm的二氧化硅,去胶,使得蒸镀层的表面形成二氧化硅阵列以及未覆盖二氧化硅的区域;使用硫源将未覆盖二氧化硅的区域进行硫化,除去二氧化硅阵列,暴露出过渡金属或其氧化物;使用硒源将暴露出的过渡金属或其氧化物进行硒化,形成二维面内异质结。本发明采用二氧化硅作为保护牺牲层,选择性的对过渡金属或其氧化物进行硫化和硒化,可在任意基底上形成大面积的二维面内异质结,不需要二次套刻和对准。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201711127118.0 | 专利名称: | 制备二维面内异质结的方法 |
申请日: | 2017-11-15 | 申请/专利权人 | 苏州大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市相城区济学路8号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/02搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2018-04-13 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN107910249A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/07/05 | 授权 | |
2018/05/08 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 21/02 专利申请号: 201711127118.0 申请日: 2017.11.15 |
2018/04/13 | 公开 |