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摘 要:本发明公开了一种提高光解水性能的光阳极制备方法及所得光阳极结构。光阳极制备方法包括以下步骤:a.采用电阻率为0.01~0.05Ω·cm的n型硅片;b.对硅片清洗后制备硅微米线阵列;c.以硅微米线阵列为基底,采用含有Fe3+的溶液,并在其中混入掺杂源离子溶液,作为生长氧化铁层的前驱液,对前驱液吸附的硅微米线阵列基底在空气中进行前期退火处理,得到硅/氧化铁微米线阵列;d.对硅/氧化铁微米线阵列基底在氮气或氩气氛围中进行后期退火处理;e.在后期退火后所得的硅/氧化铁微米线阵列基底的背面沉积导电层,并引出外置导线;f.在导电层上涂覆反水绝缘层。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710818779.1 | 专利名称: | 一种提高光解水性能的光阳极制备方法及所得光阳极结构 |
申请日: | 2017-09-12 | 申请/专利权人 | 苏州大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市相城区济学路8号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C25B11/04搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2019-04-05 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN107641817B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/04/05 | 授权 | |
2018/02/27 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C25B 11/04 专利申请号: 201710818779.1 申请日: 2017.09.12 |
2018/01/30 | 公开 |