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摘 要:本发明公开一种自组装VSe2纳米片的合成方法,1)碳布预处理;2)称取硒脲和钒源,将其溶解在30mL溶液中,磁力搅拌均匀,然后放入处理好的碳布(CC),得到混合液;3)将步骤2)中所得的混合液转移至50mL带对位聚苯内衬的高温高压反应釜中,随后向反应釜中添加氟化铵形貌调控剂,将反应釜密封,置于烘箱中水热反应;自然冷却至室温后取出碳布,冲洗、真空干燥后得到自组装VSe2/CC纳米片阵列自支撑电极;采用的水热法具有工艺简单、制备周期短和反应条件容易控制的特点,通过调节温度来控制反应进程和形貌尺寸,可得到多种特殊的结构形貌,不同的形貌特征对材料的性能具有较大的影响。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811176598.4 | 专利名称: | 一种自组装VSe纳米片的合成方法 |
申请日: | 2018-10-10 | 申请/专利权人 | 陕西科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市未央大学园区 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01B19/04搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2020-09-08 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109279584B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2020/09/08 | 授权 | |
2019/03/01 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C01B 19/04 专利申请号: 201811176598.4 申请日: 2018.10.10 |
2019/01/29 | 公开 |