咨询电话:13280638997
传真:0533-3110363
邮箱:kefu@shizifang.com
摘 要:本发明公开了一种横向变掺杂-结终端延伸复合终端结构,以GCT为例,终端区和有源区有共同的n-衬底及其下方的n型FS层、p+阳极区及阳极电极;在有源区主结的外侧,依次设置有一个电阻区、一个横向变掺杂区和一个结终端延伸区,且该横向变掺杂区与结终端延伸区相互交叠,终端区表面覆盖有两层钝化膜;该电阻区将主结和该复合终端区连接为一体。本发明还公开了该种横向变掺杂-结终端延伸复合终端结构的制造方法。本发明的复合终端结构,不仅可获得约91%的耐压效率,高温漏电流小、终端稳定性高,而且制作工艺与有源区完全兼容,不会增加器件制备过程中的工艺难度和成本,不论是方形芯片还是圆形芯片的深结器件均适用。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810380268.0 | 专利名称: | 一种横向变掺杂-结终端延伸复合终端结构及其制造方法 |
申请日: | 2018-04-25 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市金花南路5号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/06搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2018-09-28 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108598150A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2021/06/15 | 授权 | |
2018/10/26 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 29/06 专利申请号: 201810380268.0 申请日: 2018.04.25 |
2018/09/28 | 公开 |