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摘 要:本发明公开了一种pnp-沟槽复合隔离RC-GCT器件,整个器件分为A-GCT和PIN二极管两部分,A-GCT部分结构是,n-区向上依次设置有波状p基区和p+基区,该p+基区中间段上表面,与波状p基区的波峰对应位置设置有n+阴极区,该n+阴极区上表面是阴极铝电极,该n+阴极区两侧的p+基区上表面各设置有门极铝电极,n-区向下设置有n缓冲层及p+透明阳极区;PIN二极管部分结构是,n-区向上依次设置有p基区和p+基区,p+基区上表面设置有阴极铝电极;n-区向下设置有n缓冲层,n缓冲层的下方并排设置有PIN二极管n+阴极区Ⅰ、p+短路区和PIN二极管n+阴极区Ⅱ。本发明还公开了上述pnp-沟槽复合隔离RC-GCT器件的制备方法,可有效改善PIN二极管的反向恢复特性,从而省去了对其少子寿命的控制。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201010191042.X | 专利名称: | 一种pnp-沟槽复合隔离RC-GCT器件及制备方法 |
申请日: | 2010-06-03 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/744搜分类 隔离 C R P CT 器件 沟槽搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |