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摘 要:本实用新型公开了基于半导体材料NiO的X型腔脉冲激光器,带尾纤输出的半导体激光器产生940nm连续光依次经过耦合透镜和凹面输入镜入射到Yb:YAG/Cr4+:YAG/YAG晶体,经过Yb:YAG/Cr4+:YAG/YAG晶体的增益激光由凹面全反镜反射到达平面全反镜,然后被反射并原路返回,到达凹面输入镜后反射,经过NiO复合材料可饱和吸收体后到达输出镜输出1030nm波段的脉冲激光。本实用新型利用NiO所具有的可饱和吸收特性,可获得高能量的锁膜脉冲激光,实现纳秒级的脉冲输出。此外,基于NiO纳米片在近红外波段的带内电子跃迁所产生的饱和吸收特性,优选NiO纳米片薄膜厚度进而实现NiO可饱和吸收体在不同激光波段的运转。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201822120704.9 | 专利名称: | 基于半导体材料NiO的X型腔脉冲激光器 |
申请日: | 2018-12-18 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01S3/11搜分类 激光搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |