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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN202010154491.0 | 专利名称: | 半导体照明外延结构形成方法 |
申请日: | 2020-03-07 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L33/00分类检索 半导体 灯具专利转让搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 【平台担保交易】 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明提供了一种半导体照明外延结构形成方法,包括提供一基板,依次在所述基板上形成半结晶性层、3D未掺杂层,形成3D未掺杂层后排出腔体内氮源,接着通入镓源且不通入氮源,通入镓源后通入氮源,通入氮源后形成N型掺杂层、有源层、P型掺杂层。本发明在形成3D未掺杂层后将腔体内氮源排出,此时岛状结构表面没有气体保护,腔体内的高温对岛状结构顶部氮化镓进行烘烤并产生一相对粗糙表面,通入镓源后分解产生液态金属镓覆盖在粗糙表面上对缺陷位错进行填充并得到一相对平整表面,再通入氮源,氮源与液态金属镓表面接触形成氮化镓,晶格重新排序并阻断前面形成的位错缺陷,提高了晶体质量。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |