实用新型已授权

一种太赫兹窄带吸收装置

Name: 一种太赫兹窄带吸收装置
Brand: 南京信息工程大学
SKU: 2023203379584
Availability: InStock

📄 申请号：CN202320337958.4 📄 发布日：2026/09/21

著录项目信息

申请日

2023-02-28

公开号

CN220122111U

公开日

2023-12-01

申请人

南京信息工程大学

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01Q17_00

IPC 分类号

H01Q17_00

技术画像

所属领域

太赫兹技术太赫兹技术电磁超材料吸波结构

应用场景

太赫兹通信, 太赫兹成像, 太赫兹探测, 电磁隐身, 电磁屏蔽

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摘要

本实用新型公开了一种太赫兹窄带吸收装置，属于太赫兹吸收器技术领域，包括依次堆叠的金属衬底、硅介质层、第一二氧化硅介质层、第二二氧化硅介质层和石墨烯层；所述第二二氧化硅介质层内开设有与第一二氧化硅介质层、石墨烯层相通的腔体；通过在石墨烯层表面引起环形电流，分别在第二二氧化硅腔体和硅介质层中产生强烈的磁共振，电磁共振互相作用产生了两个极窄的吸收峰，且第一二氧化硅介质层两侧积累了大量的电荷，同时硅介质层内产生强烈的磁共振，因此在高频波段内产生了一个极窄的完美吸收峰，实现了三通道窄带吸收。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN220122111U

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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2020100351910 · 电子科技大学

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