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一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构

Name: 一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 2021115889738
Availability: InStock

📄 申请号：CN202111588973.8 📄 发布日：2026/09/14

著录项目信息

申请日

2021-12-23

公开号

CN114267958B

公开日

2025-03-18

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01Q17_00

IPC 分类号

H01Q17_00

技术画像

所属领域

频率选择表面频率选择表面微波吸收结构射频微波器件

应用场景

雷达隐身, 天线罩, 电磁兼容, 微波通信, 电磁防护

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摘要

本发明提出一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构。目前已报道的低通吸收式频率选择结构过渡带宽，选择性不够优异。本发明为周期结构。结构单元由两部分组成，一部分为损耗层，另一部分为三维带阻结构。损耗层采用射频电阻和等效电感值较大的弯折的金属线，三维带阻结构采用在垂直方向上的介质基片上印刷金属条。整个结构具有高频吸波低频透波，且过渡带窄的特性。本发明与应用于军事领域的工作在VHF/UHF频段的大量超宽带天线和频谱监测等系统的天线罩的性能指标完美匹配，具有很强的适用性。

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